Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H120SE-13
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H120SE
DMN10H120SE-13 Hakkında
DMN10H120SE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajına ve 3.6A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, maksimum 110mΩ on-resistance (Rds(On)) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, yük anahtarlaması ve dijital lojik sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 549 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok