Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H099SK3
DMN10H099SK3-13 Hakkında
DMN10H099SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 80mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 34W güç tüketebilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değeri ile enerji verimliliği gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1172 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok