Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H099SFG-13
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H099SFG
DMN10H099SFG-13 Hakkında
DMN10H099SFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim desteği ve 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında tercih edilir. 80mΩ (10V, 3.3A) düşük RDS(on) değeri enerji verimliliği sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlara uyum gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir, 980mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1172 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 980mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok