Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1032UCB4-7
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 49-WFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1032UCB4
DMN1032UCB4-7 Hakkında
DMN1032UCB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim değeriyle 4.8A sürekli dren akımı sağlayabilir. 26mOhm on-direnç (4.5V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı özelliğine sahiptir. ±8V maksimum gate gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. 4-UFBGA paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motorlar, lambalar ve solenoid kontrol gibi düşük gerilim DC uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLBGA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-WLB1010-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok