Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1019UV
DMN1019UVT-7 Hakkında
DMN1019UVT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj desteği ve 10.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. SOT-23-6 Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge değeri (50.4nC) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.4 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2588 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.73W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok