Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1019UVT-13
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1019UVT
DMN1019UVT-13 Hakkında
DMN1019UVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj desteği ile 10.7A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10mΩ @ 4.5V) nedeniyle güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan DMN1019UVT-13, -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sunar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 50.4nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.4 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2588 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.73W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok