Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1019USN
DMN1019USN-7 Hakkında
DMN1019USN-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 10mΩ maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SC-59 (SOT-23-3) kompakt yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (50.6nC @ 8V) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2426 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 680mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok