Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1019UFDE
DMN1019UFDE-7 Hakkında
DMN1019UFDE-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V Drain-Source gerilim ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. U-DFN2020-6E surface mount paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. 50.6nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği ile enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2425 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 690mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok