Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1017UCP3-7
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1017UCP3
DMN1017UCP3-7 Hakkında
DMN1017UCP3-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 3.3V gate sürüş voltajında 17mOhm Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount X3-DSN1010-3 paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Motor kontrolü, güç yönetimi, load switching ve DC-DC converter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 3.3V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 3.3 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1503 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 5A, 3.3V |
| Supplier Device Package | X3-DSN1010-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok