Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1016UCB6-7
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1016UCB6
DMN1016UCB6-7 Hakkında
DMN1016UCB6-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 20mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri, düşük güç kayıpları gerektiren uygulamalarda kullanılır. Surface mount U-WLB1510-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek sürücü voltaj esnekliği (2.5V-4.5V) sayesinde farklı kontrol devrelerine uyumludur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, WLBGA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 920mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-WLB1510-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok