Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1014UFDF-7
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1014UFDF
DMN1014UFDF-7 Hakkında
DMN1014UFDF-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 6-UDFN yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 700mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok