Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN1014UFDF-13

MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN1014

DMN1014UFDF-13 Hakkında

DMN1014UFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 4.5V gate geriliminde 16mOhm düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. 6-UDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması, motor kontrolü ve genel dijital anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok