Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1008UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1008UFDF
DMN1008UFDF-13 Hakkında
DMN1008UFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ile 12.2A sürekli dren akımı sağlayabilir. 6-UDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük 8mOhm RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. 700mW güç yayılımı kapasitesi ve hızlı anahtarlama özellikleri ile kompakt tasarımlarda kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 995 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok