Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1004UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1004UFDF
DMN1004UFDF-13 Hakkında
DMN1004UFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 4.8mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük gate charge karakteristiği (47nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 6-UDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, pil yönetim sistemleri, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 2.1W maksimum güç tüketimi ile verimli tasarımlara olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2385 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok