Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN100

DMN100-7-F Hakkında

DMN100-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 240mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC-59-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devrelerinde ve genel dijital lojik sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 5.5nC gate charge ve 150pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özellikleri gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SC-59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok