Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ7N70SK3-13
MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ7N70SK3
DMJ7N70SK3-13 Hakkında
DMJ7N70SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilim dayanımına sahip bu komponent, maksimum 3.9A sürekli drain akımını işleyebilir. TO-252 (DPak) paketinde sürülenmiş bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 10V sürücü geriliminde 1.25Ohm maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 13.9nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 351 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok