Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H900HJ3
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H
DMJ70H900HJ3 Hakkında
DMJ70H900HJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 900mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve ±30V gate gerilim toleransı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. Yüksek gerilim güç dönüştürme, motor kontrol devreleri, AC/DC adaptörler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 603 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok