Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H601SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H601SV
DMJ70H601SV3 Hakkında
DMJ70H601SV3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V kapı geriliminde 600mOhm maksimum açık kanal direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 125W maksimum güç dağıtımı özelliğine sahip olan bu MOSFET, anahtarlı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 686 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok