Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H601SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H601SK3
DMJ70H601SK3-13 Hakkında
DMJ70H601SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen 700V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 125W maksimum güç dağılımına sahiptir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 20.9nC gate charge ve 686pF input capacitance özellikleriyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüler, DC/DC converters, switched-mode power supplies (SMPS) ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yer alır. ±30V gate gerilim toleransı ile esnek kontrol imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 686 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok