Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H600SH3
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H600SH
DMJ70H600SH3 Hakkında
DMJ70H600SH3, Diodes Incorporated tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET'tir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 18.2nC olup, geniş işletme sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir çalışma sağlar. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, SMPS devreleri, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 113W maksimum güç tüketimi ile orta seviye güç yönetimi gerektiren devrelerde tercih edilir. TTL/CMOS sürücü seviyelerine uyumlu ±30V maksimum gate voltajı ile entegre kontrolörlere direkt bağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 643 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok