Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMJ70H1D5SV3

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3 Hakkında

DMJ70H1D5SV3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt yerleştirilir. Bileşen üretimi sonlandırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 316 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-251
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok