Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H1D4SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H1D4SV3
DMJ70H1D4SV3 Hakkında
DMJ70H1D4SV3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor sürücü uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 78W güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok