Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H1D3SJ3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H1D3SJ3
DMJ70H1D3SJ3 Hakkında
DMJ70H1D3SJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilim ve 4.6A sürekli drain akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251 paketinde sunulan bu bileşen, 1.3Ω RDS(on) değeri ile anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor denetim ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 155°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Gate charge 13.9nC ve input capacitance 351pF ile düşük sürüş gereksinimleri sağlar. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt entegrasyonu mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 351 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok