Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ70H1D3SI3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ70H1D3SI3
DMJ70H1D3SI3 Hakkında
DMJ70H1D3SI3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V Drain-Source gerilim, 4.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate drive voltajında 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve yüksek voltaj DC-DC konverterlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 41W maksimum güç dağıtımına sahiptir. 13.9nC gate charge ve 351pF input kapasitesi ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 351 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok