Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMJ65H650SCTI
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMJ65H650SCTI
DMJ65H650SCTI Hakkında
DMJ65H650SCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen 650V/10A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 31W güç tüketim kapasitesi ile enerji dönüştürücü, motor kontrol devreleri, koruma sistemleri ve endüstriyel elektrik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme özelliği ile çeşitli çevre koşullarına uyum sağlar. 12.9nC gate charge ve 639pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 639 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB (Type TH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok