Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG9N65CT
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG9N65CT
DMG9N65CT Hakkında
DMG9N65CT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 9A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır. 1.3Ω maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 165W güç dağılımına sahiptir. Gate charge değeri 39nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok