Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG8N65SCT
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG8N65SCT
DMG8N65SCT Hakkında
DMG8N65SCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 8A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.3Ω (10V, 4A koşullarında) on-state direnç değeri ile güç dönüşüm devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda kullanılır. 125W maksimum güç dağılımı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş sıcaklık ortamlarında işletilmesi mümkün kılar. 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1217 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok