Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG8880LSS-13

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMG8880LSS

DMG8880LSS-13 Hakkında

DMG8880LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 11.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOP yüzeye monte pakete sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 27.6nC gate charge ve 1289pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1289 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.43W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok