Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG7N65SJ3
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG7N65SJ3
DMG7N65SJ3 Hakkında
DMG7N65SJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 125W güç tüketimi desteği ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok