Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG7N65SCTI

MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI Hakkında

DMG7N65SCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 7.7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç yönetimi, elektrik motor kontrolü, endüstriyel güç kaynakları ve anahtarlamalı güç devreleri gibi alanlarda uygulanır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 28W maksimum güç tüketimi ve ±30V gate-source gerilimi kapasitesi güvenilir çalışma ortamı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 886 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok