Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG7N65SCT
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG7N65SCT
DMG7N65SCT Hakkında
DMG7N65SCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 7.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 1.4Ω on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında 125W güç yayınlayabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, enerji yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. 25.2nC gate charge ve 886pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok