Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG7430LFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG7430
DMG7430LFGQ-7 Hakkında
DMG7430LFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drain akımı ile çalışmaktadır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 26.7nC gate charge ve hızlı anahtarlama özelliği ile verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1281 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok