Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG7401SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMG7401

DMG7401SFGQ-13 Hakkında

DMG7401SFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 9.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 20V gate geriliminde 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerDI3333-8 (8-PowerVDFN) yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalara uyum gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Genellikle anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 20V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2987 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 20V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok