Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG4N65CTI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG4N65CTI
DMG4N65CTI Hakkında
DMG4N65CTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen 650V dayanımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 (ITO-220AB) paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drain akımı kapasitesine ve 3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate voltajında çalıştırılan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. Gate yükü 13.5nC ve threshold voltajı 5V (@250µA) olan DMG4N65CTI, -55°C ile 150°C arasında stabil çalışabilir. Power factor correction devreleri, off-line SMPS uygulamaları ve yüksek voltaj anahtar devrelerinde kullanım için uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 8.35W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok