Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG4N60SK3-13

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMG4N60SK3

DMG4N60SK3-13 Hakkında

DMG4N60SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 3.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile medium-voltage uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 2.3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilme kabiliyeti vardır. Düşük gate charge (14.3 nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, AC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 532 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok