Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG4N60SJ3
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG4N60SJ3
DMG4N60SJ3 Hakkında
DMG4N60SJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sağlanan bu komponent, switching devreleri, güç yönetimi sistemleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 2.5Ohm maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. ±30V maksimum Gate-Source gerilimi ile güvenli kontrol sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 532 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok