Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG4N60SCT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG4N60SCT
DMG4N60SCT Hakkında
DMG4N60SCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.5Ω maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile enerji kaybını sınırlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 14.3 nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalarda tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 532 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok