Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG4812SSS-13

MOSFET N-CH 30V 8A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMG4812

DMG4812SSS-13 Hakkında

DMG4812SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 15mΩ (10V, 10.7A koşullarında) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Schottky body diyodu içeren bu transistör, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama devrelerinde ve hızlı şarj uygulamalarında tercih edilir. 8-SO (SO-8) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşen kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1849 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.54W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10.7A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok