Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG4800LK3-13
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG4800LK3
DMG4800LK3-13 Hakkında
DMG4800LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajında 10A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance değeri (17mOhm @ 9A, 10V) ile güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 8.7nC Gate Charge ve düşük input kapasitansi (798pF @ 10V) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 798 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.71W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok