Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG4712SSS-13

MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMG4712SSS

DMG4712SSS-13 Hakkında

DMG4712SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 11.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 14mΩ'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama sağlar. Entegre Schottky diyodlu body yapısı ile ters kurtarma karakteristiğini iyileştirir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç kayıpı gerektiren DC-DC konverterler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve battery management uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup endüstriyel ve gömülü sistem tasarımlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2296 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.55W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok