Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG4710SSS-13

MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMG4710

DMG4710SSS-13 Hakkında

DMG4710SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 8.8A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Schottky body diodu ile entegre olması, ters akım koruması sağlar. 12.5mOhm on-state direnç (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sunar. Surface mount 8-SO paket tipi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1849 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.54W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok