Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG4435SSS-13

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMG4435SSS

DMG4435SSS-13 Hakkında

DMG4435SSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 7.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlama ve analog çoklayıcı uygulamalarında kullanılır. 8SOP yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 16mΩ (20V, 11A'de) düşük on-resistance ve geniş -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı sağlar. ±25V gate-source gerilim toleransı ve 35.4nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç uygulamalarında, batarya yönetimi devrelerinde ve tüketici elektroniği ürünlerinde tercih edilen bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 20V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1614 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 11A, 20V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok