Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG3N60SJ3
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG3N60SJ3
DMG3N60SJ3 Hakkında
DMG3N60SJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 3.5Ω maksimum on-state direnci ile verimli güç iletimini sağlar. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 41W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamaları için uygundur. Son sipariş dönemi durumunda bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok