Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG3415UFY4Q-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG3415UFY4Q
DMG3415UFY4Q-7 Hakkında
DMG3415UFY4Q-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 16V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. X2-DFN2015 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, load switching ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 10nC gate charge ve 282pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 282 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 650mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN2015-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok