Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG3415U
DMG3415UFY4-7 Hakkında
DMG3415UFY4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 16V drain-source gerilim ile tasarlanan bu bileşen, 2.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 39mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışmaya uygun olan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve kontrol sistemlerinde kullanılır. DFN2015H4-3 SMD paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Maksimum 400mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 281.9 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2015H4-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok