Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG3415U-7

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMG3415U

DMG3415U-7 Hakkında

DMG3415U-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 39mΩ RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve maksimum 900mW güç tüketebilen DMG3415U-7, açma/kapatma kontrol uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması gibi alanlarda kullanılır. Düşük gate charge (9.1nC) ve kompakt paket tasarımı ile mobil cihazlar, IoT uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerine entegre edilmek için uygun bir çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 294 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok