Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG3414UQ-13
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG3414UQ
DMG3414UQ-13 Hakkında
DMG3414UQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama ve düşük ısı kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate gerilimi ±8V aralığında çalışan bu transistör, logik devreler, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük akım motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 829.9 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok