Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG3413L-7

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMG3413L

DMG3413L-7 Hakkında

DMG3413L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 95mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde kullanılmaktadır. 9nC gate charge ve düşük input kapasitansı hızlı anahtarlama sağlar. 700mW maksimum güç yayılımı kapasitesiyle taşınabilir elektronik cihazlarda, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 857 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok