Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG3407SSN-7

MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMG3407

DMG3407SSN-7 Hakkında

DMG3407SSN-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SC-59) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan DMG3407, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüsü ve pozitif gerilim anahtarlamalarında yer alan uygulamalarda tercih edilir. Gate-source gerilimi maksimum ±20V olup, hızlı komütasyon ve entegre devre kontrol uyumluluğu sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package SC-59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok