Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG3401LSNQ-13

MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMG3401L

DMG3401LSNQ-13 Hakkında

DMG3401LSNQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-236-3 (SC-59) SMD paketinde tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, batarya uygulamaları, motor kontrol ve load switching devrelerde yaygın olarak tercih edilir. ±12V gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1326 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package SC-59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok